제조업체 제품 번호:
BUZ31 E3045A
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BUZ31 E3045A-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
재고:
12849258
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제출
BUZ31 E3045A 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
SIPMOS®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1120 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
95W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
BUZ31
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BUZ31 E3045A-DG
SP000011343
BUZ31E3045AT
BUZ31E3045A
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF640STRRPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
761
부품 번호
IRF640STRRPBF-DG
단가
1.23
대체 유형
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DIGI 인증
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